5月22日消息，近日，JEDEC對外表示，LPDDR6內(nèi)存標準即將敲定，相比上代來說，速度提升會很快。
關(guān)于對LPDDR6內(nèi)存的預期，Synopsys將14.4 Gbps的數(shù)據(jù)傳輸速率作為該標準的高定義，入門速率為10.667Gbps。
LPDDR6還將使用由兩個12位子通道組成的24位寬通道，入門帶寬可達每秒28GB，使用快的14.4 Gbps模式時，帶寬可達每秒38.4GB。
內(nèi)存速度上，DDR6內(nèi)存標準將采用8.8 Gbps的導入速度，高可達17.6Gbps。
另一個值得關(guān)注的話題是，CAMM2內(nèi)存標準，美光、三星、SK hynix 甚至中國制造商龍芯中科都采用了這一標準。
CAMM2是下一代標準，它解決了傳統(tǒng)SO-DIMM和DIMM內(nèi)存的幾個問題，如可升級性、可維修性、主板復雜性和功耗（拒絕焊死內(nèi)存等不友好行為）。
它得到了內(nèi)存供應(yīng)商的廣泛支持。目前，CAMM2基于DDR5、LPDDR5和LPDDR5X標準，容量高達256GB。
JEDEC還談到了下一代LPDDR6 CAMM2，它將進一步完善CAMM2模塊，提供與我們剛才提到的同樣快的速度，而且還消除了現(xiàn)有設(shè)計中對螺絲的需求。
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