5月25日消息，有網(wǎng)友給手機(jī)晶片達(dá)人留言：驍龍8 Gen4不會(huì)再現(xiàn)驍龍888那種情況吧？
對(duì)此，手機(jī)晶片達(dá)人回復(fù)：驍龍8 Gen4采用臺(tái)積電3nm工藝，不是三星。
眾所周知，驍龍888終端普遍存在過(guò)熱問(wèn)題，當(dāng)時(shí)所有矛頭都指向了三星5nm工藝制程。
由于當(dāng)時(shí)蘋果吃掉了臺(tái)積電的大部分5nm產(chǎn)能，高通只能退而求其次選擇三星作為代工廠。
而作為首批使用三星5nm工藝的芯片，驍龍888的發(fā)熱被指與三星5nm工藝問(wèn)題有關(guān)。
據(jù)數(shù)碼博主測(cè)評(píng)，在相同條件的游戲體驗(yàn)后，麒麟9000和蘋果A14兩款臺(tái)積電5nm芯片的平均芯片功耗為2.9W和2.4W，而采用三星5nm技術(shù)的驍龍888為4.0W。
從晶體管密度上來(lái)說(shuō)，臺(tái)積電的5nm工藝能達(dá)到1.73億顆晶體管，三星的工藝更為落后，5nm工藝僅達(dá)到1.27億顆晶體管。
因三星工藝問(wèn)題，從驍龍8+ Gen1開始，高通轉(zhuǎn)投臺(tái)積電懷抱，驍龍8+ Gen1、驍龍8 Gen2、驍龍8 Gen3等旗艦平臺(tái)都選擇臺(tái)積電代工，其市場(chǎng)表現(xiàn)良好。
即將在今年10月份亮相的驍龍8 Gen4也會(huì)選擇臺(tái)積電代工，而且首次使用臺(tái)積電3nm工藝制程。
據(jù)爆料，高通驍龍8 Gen4使用的是臺(tái)積電新一代3nm制程N(yùn)3E，N3E修復(fù)了N3B上的各種缺陷，設(shè)計(jì)指標(biāo)也有所放寬，對(duì)比N5同等功耗，性能提升15-20％、同等性能功耗降低30-35％，邏輯密度約1.6倍、芯片密度約1.3倍，表現(xiàn)值得期待。
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