2月12日消息，據韓國媒體報道，長鑫存儲（CXMT）正在加速開發下一代DRAM技術，其并未按原計劃為首款商用DDR5產品采用的17nm，而是直接采用了16nm制程技術。
下一代15nm制程技術也在現有制程基礎上進行開發中，目標是在2025年內開發出該技術，并快在2026年下半年就能達成商業化的目標。
長鑫存儲此前主要生產采用17-18nm制程的DDR4、LPDDR4X等成熟產品，2024年11月，該公司首次發布了LPDDR5產品，并在2025年稍早成功實現了DDR5的商業化目標。
長鑫存儲對此次DDR5采用的制程技術一直充滿信心，如今事實證明，其下一代制程開發速度比原計劃更快。
研究機構TechInsights表示，長鑫存儲在完成17nm制程技術開發后，緊接著完成了16nm制程技術的開發，因此首款商用DDR5產品采用了16nm制程技術。
此外，長鑫存儲原計劃發展15nm制程技術，但受美國加強先進半導體制造設備出口限制影響，無法引進EUV先進制造設備，導致計劃暫時放緩。
不過隨著技術開發的成熟，預計長鑫存儲利用現有設備也足以開發和量產下一代制程，畢竟美光的13nm DRAM制程技術也沒有采用使用EUV。
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