2月19日消息，根據(jù)Counterpoint Research的報(bào)告，隨著DeepSeek R1在各類應(yīng)用上的大規(guī)模部署，將刺激對(duì)于大容量DRAM芯片和AI芯片的需求。
目前中國補(bǔ)貼政策有效降低生產(chǎn)成本、內(nèi)存企業(yè)等廠商積極擴(kuò)產(chǎn)，將逐漸強(qiáng)化中國的半導(dǎo)體供應(yīng)鏈。
以DRAM為例，2024年Q1韓國DRAM每GB生產(chǎn)成本約為0.23美元，而中國通過補(bǔ)貼將成本壓低至0.20美元。
隨著技術(shù)升級(jí)與量產(chǎn)規(guī)模擴(kuò)大，固定成本將進(jìn)一步降低，使中國內(nèi)存廠在全球市場更具競爭力。
長鑫存儲(chǔ)、兆易創(chuàng)新等企業(yè)正積極擴(kuò)產(chǎn)，預(yù)計(jì)未來兩年將顯著提升市占率，并減少對(duì)進(jìn)口技術(shù)的依賴。
雖然華為Ascend 920 GPU僅支持HBM2e，落后主流的HBM3e約兩年，但DeepSeek高效的AI軟件優(yōu)化能力使其在低階硬件平臺(tái)上也能發(fā)揮出色性能，這也表明中國在AI訓(xùn)練與推理領(lǐng)域仍可維持競爭力。
此外，中芯國際及長鑫存儲(chǔ)正在推動(dòng)14-28nm制程的硅中介層及高K金屬柵極（HKMG）技術(shù)，不僅降低了生產(chǎn)成本，還提高了供應(yīng)鏈的自主性與穩(wěn)定性。
Counterpoint Research預(yù)計(jì)，2025-2026年將是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵時(shí)期，但設(shè)備供應(yīng)仍是大挑戰(zhàn)，不過北方華創(chuàng)的低溫蝕刻技術(shù)已應(yīng)用于長江存儲(chǔ)量產(chǎn)276層NAND閃存芯片，并計(jì)劃在未來兩年內(nèi)擴(kuò)大使用更多國產(chǎn)設(shè)備，降低對(duì)外部供應(yīng)的依賴。
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