任天堂 Switch 2 可能會使用三星第五代 V-NAND，從最近的一些研究結果來看，這將是相比其前代產品的一大進步。據Doctre81在 YouTube 上分享的一段新視頻中報道，一位在該公司任職至 2019 年的前三星電子設備解決方案部門高級總監的 LinkedIn 頁面上列出了他的主要資歷和職責，其中包括領導開發了一款用于未指定任天堂游戲卡帶的 NAND 閃存控制器設備。
在主要成就中，這位前三星員工還列出了由三星存儲器第五代 V-NAND 閃存驅動的安全增強型 eMMC 卡的開發，這似乎不僅與用于未指定任天堂游戲卡帶的 NAND 閃存控制器設備相吻合，而且還與其他一些信息相符，如創新未指定專有硬件的安全性和設計新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。
任天堂 Switch 2 需要比上一代產品更快的讀取速度并不完全令人驚訝，但使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是個好消息，盡管以今天的標準來看，這已經是有些過時的技術了，因為三星正在開發第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者計劃于 2025 年發布。不過，第 5 代產品高達 1.4 GB/s 的速度對于任天堂的游戲來說應該綽綽有余，至少比前一代產品有了很大的提升。
關于 Nintendo Switch 2的細節人們所知甚少，只知道它將再次采用NVIDIA硬件。據說，T239 芯片將支持英偉達 DLSS 和光線重構等功能。
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